高溫反向偏壓試驗（High TemperatureReverse Bias）,簡稱HTRB：及在高溫條件下（酸洗芯片，老化的環境溫度為125℃；玻璃鈍化芯片，環境溫度為150℃；肖特基芯片環境溫度為100℃），持續提供80%規格的反向電壓。在長時間的（48/96/168小時）工作下，要求試驗樣品的反向漏電流能在范圍值內保持穩定。（ps：二極管的其他老化項目可以參考“二極管的可靠性項目”)

HTRB實驗在二極管老化項目的重點項目之一，它可以模擬終端應用中的高溫高電壓下的二極管狀況，在批量生產前的小樣可靠性實驗中，也顯得極其重要！

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