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    高低溫低氣壓試驗(yàn)箱冷熱沖擊試驗(yàn)箱

    東莞市易升儀器有限公司

    環(huán)境與可靠性實(shí)驗(yàn)設(shè)備制造商和方案解決提供者

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    HAST加速老化試驗(yàn)箱

    • HAST加速老化試驗(yàn)箱應(yīng)用廣泛應(yīng)用于多層電路板、IC封裝、液晶屏、LED、半導(dǎo)體、磁性材料、NdFeB、稀土、磁鐵等材料的密封性能測(cè)試,對(duì)上述產(chǎn)品的耐壓力和氣密性進(jìn)行測(cè)試
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    • 產(chǎn)品詳情

    HAST加速老化試驗(yàn)箱應(yīng)用:
    廣泛
    適用于國(guó)防、航天、汽車部件、電子零配件、半導(dǎo)體、芯片測(cè)封、塑膠、磁鐵行業(yè)、制藥線路板,多層線路板、IC、LCD、磁鐵、燈飾、照明制品等產(chǎn)品之密封性能的檢測(cè),相關(guān)之產(chǎn)品作加速壽命試驗(yàn),使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié),測(cè)試其制品的耐厭性,氣密性。

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    芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱特點(diǎn):

    1、自動(dòng)加水功能,測(cè)試時(shí)自動(dòng)補(bǔ)水,蓄水時(shí)間短。

    2、自動(dòng)操作,測(cè)試過程結(jié)束,使用方便。

    3、溫度控制:原裝進(jìn)口PLC彩色觸摸屏溫控器可對(duì)溫度設(shè)定、控制和顯示進(jìn)行精確測(cè)試。

    4、LED數(shù)碼計(jì)時(shí)器,當(dāng)內(nèi)盒溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí),開始計(jì)時(shí),確保測(cè)試完成。

    5、準(zhǔn)確的壓力:溫度圖表總是顯示內(nèi)盒的壓力和相對(duì)濕度。

    6、水裝置自動(dòng)排出不飽和蒸汽,以達(dá)到最佳的蒸汽品質(zhì)。

    7、硅膠整體門封條,氣密性好,使用壽命長(zhǎng)。

    8、內(nèi)盒鏡面拋光,美觀無污染。

    芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱試驗(yàn)說明:

    1.JESD22-A102-E:PCT高壓蒸煮試驗(yàn)

    2.JESD22-A102-D:PCT無偏壓高壓加速抗?jié)裥栽囼?yàn)

    ◎試驗(yàn)條件包括:溫度,相對(duì)濕度,蒸汽壓力和持續(xù)時(shí)間

    ◎常用測(cè)試條件:121℃±2/100%R.H/29.7psia(205kpa)/24h,48h,96h,168h,240h,336h

    芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱安全裝置:

    1、安全裝置:如果內(nèi)箱沒有關(guān)閉,機(jī)器就不能啟動(dòng)。

    2、安全閥:當(dāng)內(nèi)箱的壓力高于機(jī)器的承受值時(shí),它會(huì)自行減壓。

    3、雙重過熱保護(hù)裝置:當(dāng)箱內(nèi)溫度過高時(shí),報(bào)警,自動(dòng)切斷加熱電源。

    4、防護(hù):內(nèi)箱蓋采用鋁合金制成,保護(hù)工人免受燙傷。

    芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱規(guī)格/SPEC:(可根據(jù)用戶產(chǎn)品尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)定制)

     
    型 號(hào)
     
    ES-HAST-250
     
    ES-HAST-350
     
    ES-HAST-450
     
    ES-HAST- 650
     
    內(nèi)部尺寸(直徑*D)mm
     
    Φ250*300
     
    Φ300*450
     
    Φ450*500
     
    Φ650*600
     
    外箱尺寸(W*H*D)mm
     
    500*500*700
     
    580*850*650
     
    800*750*900
     
    950*900*1100
     
    使用溫度
     
    105℃~155℃;(143℃特殊選用)
     
    使用濕度
     
    70%~100%RH
     
    使用蒸氣壓力
     
    1個(gè)環(huán)境大氣壓 +0.0Kg/cm2 - 2.0Kg/cm2 ;(3.0Kg/cm2屬于特殊規(guī)格)
     
    循環(huán)方式
     
    水蒸氣強(qiáng)制送風(fēng)循環(huán)對(duì)流
     
    安全保護(hù)裝置
     
    缺水保護(hù),超壓保護(hù)、 (具有自動(dòng)/手動(dòng)補(bǔ)水功能,自動(dòng)瀉壓功能)
     
    配 件
     
    不銹鋼隔板兩層
     
    電 源
     
    AC220V,50/60Hz/AC380V , 50/60Hz

    為什么芯片、半導(dǎo)體、IC出廠前需要做加速老化測(cè)試(HAST測(cè)試)

    隨著芯片進(jìn)入汽車,云計(jì)算和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的市場(chǎng),IC的可靠性也成為開發(fā)人員關(guān)注的點(diǎn),事實(shí)也證明,隨著時(shí)間推移,芯片想要達(dá)到目標(biāo)的功能也會(huì)變得越來越難實(shí)現(xiàn)。

    在過去,那些專為手機(jī)和電腦設(shè)計(jì)的芯片可以在高性能下正常使用2年到四年,兩年到四年后,芯片功能便開始下降。

    但是隨著芯片投入到新的市場(chǎng)和過去不太成熟的電子產(chǎn)品市場(chǎng),這將不再是個(gè)簡(jiǎn)單的問題。

    每個(gè)終端市場(chǎng)都具有獨(dú)特的需求,對(duì)于芯片、半導(dǎo)體、IC的使用方法和條件也不相同。而芯片的使用方法和條件對(duì)老化安全等問題,產(chǎn)生更大影響。影響芯片的質(zhì)量因素相比之前更多。在PCB上當(dāng)一個(gè)已知較好的芯片和其他芯片一同封裝,性能的表現(xiàn)或許也會(huì)有所不同。

    芯片由始至終都在運(yùn)行,芯片、半導(dǎo)體、IC內(nèi)部的模塊也在一直加熱,這就導(dǎo)致了老化加速,或許這會(huì)帶來各種未知的問題。

    所以芯片設(shè)計(jì)公司都會(huì)在芯片出廠前進(jìn)行芯片加速老化測(cè)試(HAST)從而篩選測(cè)試更好的良片投放市場(chǎng)。

    芯片、半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備的類型:

    可靠性測(cè)試的重點(diǎn)是使設(shè)備因過壓而失效。在此過程中,操作測(cè)試顯示芯片保持功能的程度。每當(dāng)組件達(dá)到其斷裂點(diǎn)時(shí),分析就會(huì)顯示其設(shè)計(jì)是否具有內(nèi)在的合理性。該方法預(yù)測(cè)一旦大規(guī)模生產(chǎn)并在現(xiàn)場(chǎng)部署,該設(shè)備是否會(huì)在可接受的水平上運(yùn)行。

    自 IC 芯片首次亮相以來的幾十年里,測(cè)試工程師開發(fā)了不同類型的加速壽命測(cè)試 (ALT) 。?各種因素決定了哪些測(cè)試適用于給定設(shè)備。前幾代的操作規(guī)范和可靠性數(shù)據(jù)庫形成了一個(gè)統(tǒng)計(jì)基線,從中可以得出新的設(shè)備測(cè)試結(jié)果。

    JEDEC 等半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織建立了適當(dāng)?shù)目煽啃詼y(cè)試參數(shù)。一些最常見的測(cè)試包括:

    高溫貯存試驗(yàn)、 低溫貯存試驗(yàn)、溫濕度貯存試驗(yàn) 、溫濕度偏壓試驗(yàn) 、高溫水蒸汽壓力試驗(yàn) 、高溫加速溫濕度試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn) 、溫度沖擊試驗(yàn)、高溫壽命試驗(yàn)、高溫偏壓試驗(yàn)等

    環(huán)境測(cè)試(Environment Test)

    · 高溫貯存試驗(yàn)(High Temperature Storage Test) : 在高溫的狀態(tài)下,使組件加速老化??墒闺姎庑阅芊€(wěn)定,以及偵測(cè)表面與結(jié)合缺陷。

    · 低溫貯存試驗(yàn)(Low Temperature Storage Test) : 在極低的溫度下,利用膨脹收縮造成機(jī)械變型。對(duì)組件結(jié)構(gòu)上造成脆化而引發(fā)的裂痕。

    · 溫濕度貯存試驗(yàn)(Temperature Humidity Storage Test) : 以高溫潮濕的環(huán)境,加速化學(xué)反應(yīng)造成腐蝕現(xiàn)象。測(cè)試組件的抗蝕性。

    · 高溫水蒸汽壓力試驗(yàn)(Pressure Cook Test)/高加速溫濕度試驗(yàn)(High Acclerate Stress Test) : 與溫濕度貯存試驗(yàn)原理相同,不同地方是在加濕過程中,壓力大于大氣壓力,更加速了腐蝕速度,引發(fā)出封裝不佳的產(chǎn)品,內(nèi)部因此而腐蝕。

    · 溫度循環(huán)試驗(yàn)(Temperature Cycling Test) : 使零件冷熱交替幾個(gè)循環(huán),利用膨脹系數(shù)的差異,造成對(duì)組件的影響。可用來剔除因晶粒﹑打線及封裝等受溫度變化而失效之零件。

    · 溫度沖擊試驗(yàn)(Thermal shock Test) : 基本上跟溫度循環(huán)試驗(yàn)原理一樣,差異是加快溫度變化速度。測(cè)定電子零件曝露于高低溫情況下之抗力,可以偵測(cè)包裝密封﹑晶粒結(jié)合﹑打線結(jié)合﹑基體裂縫等缺陷。

    · 高溫壽命試驗(yàn)(High Temperature Operating Life Test) : 利用高溫及電壓加速的方法,在高溫下加速老化,再外加訊號(hào)進(jìn)去,仿真組件執(zhí)行其功能的狀態(tài)。藉短時(shí)間的實(shí)驗(yàn),來評(píng)估IC產(chǎn)品的長(zhǎng)時(shí)間操作壽命。

    · 前處里(Precondition Test) 對(duì)零件執(zhí)行功能量測(cè)﹑外觀檢查﹑超音波掃瞄(SAT) ﹑溫度循環(huán)(Temperature Cycling ) ﹑烘烤(Bake )浸濕( Moisture Soak )等程序。仿真組件在開始使用前所經(jīng)歷的運(yùn)輸、儲(chǔ)存、回焊等變化做為其它可靠性試驗(yàn)之前置處理。

    運(yùn)送測(cè)試(Transportation Test)

    · 震動(dòng)測(cè)試(Vibration Test):仿真地面運(yùn)輸或產(chǎn)品操作使用時(shí),所產(chǎn)生的震動(dòng)環(huán)境。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷,經(jīng)由震動(dòng)行為加速缺陷的劣化狀況,進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。

    · 機(jī)械沖擊測(cè)試(Mechanical Shock Test):將試件在一定的高度上,沿斜滑軌下滑與底部的障礙物相撞,而產(chǎn)生沖擊。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷,經(jīng)由沖擊行為加速缺陷的劣化狀況,進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。

    · 落下測(cè)試(Drop Test):把裝有試件的工作臺(tái)上升到一定高度,突然釋放而跌落,與底部的鋼板或水泥板相撞而發(fā)生沖擊。評(píng)估產(chǎn)品因?yàn)榈?,于安全條件需求下最小的強(qiáng)韌性。


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